磁控濺射時靶材表面變黑我們可以想到的1、可能靶材是多孔的，（細孔）在孔中有一些有機污染物（極端可能性）；2，江蘇ITO陶瓷靶材價格咨詢、可能靶材有點粗糙，用紙巾用異丙醇擦拭，粗糙的表面在目標表面保留了一些細薄的組織纖維，江蘇ITO陶瓷靶材價格咨詢，這可能是碳污染的來源；3、沉積速率可能相當高，并產(chǎn)生非常粗糙的沉積物；4、基板與靶材保持非常接近，在目前的濺射條件下（功率、壓力，江蘇ITO陶瓷靶材價格咨詢、子靶材距離）有一些發(fā)熱，氣體中有一些污染；5、真空室漏氣或漏水，真空室內(nèi)有揮發(fā)的成分，沒有充入氬氣，充入空氣或其他氣體，可能引起中毒，這些成分與靶材反應，變成黑色物質(zhì)覆蓋靶材表面。濺射靶材綁定背板流程；江蘇ITO陶瓷靶材價格咨詢

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達60mev，比室溫熱離化能(26mev)大得多。第三代半導體材料是指寬禁帶半導體材料，它們的發(fā)光波長短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點。自1997 年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的室溫紫外光發(fā)射以來，ZnO薄膜的制備技術及其光電特性成為人們研究的熱點。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長,比ZnSe和GaN的生長溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導、半導體紫外激光器、發(fā)光器件，透明電極等方面應用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質(zhì)量的單晶或c軸擇優(yōu)取向的多晶ZnO薄膜具有良好的壓電性質(zhì)，能夠用來制備高頻纖維聲光器件及聲光調(diào)制器等壓電轉換器，在光電通信領域得到大面積的應用。湖南顯示行業(yè)陶瓷靶材價格咨詢靶材安裝注意事項靶材安裝過程中非常重要的是一定要確保在靶材和濺射腔體冷卻壁之間建立很好的導熱連接。

研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術中，用氧化銦+氧化錫燒結體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴重影響了鍍膜效率。

氧化鋁薄膜是一種重要的功能薄膜材料，由于具有較高的介電常數(shù)、高熱導率、抗輻照損傷能力強、抗堿離子滲透能力強以及在很寬的波長范圍內(nèi)透明等諸多優(yōu)異的物理、化學性能，使其在微電子器件、電致發(fā)光器件、光波導器件以及抗腐蝕涂層等眾多領域有著廣的應用。磁控濺射具有濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)等明顯優(yōu)點應用日趨廣，成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術之一。濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材表面進行轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面形成鍍層。用這種技術制備氧化鋁膜時一般都以純鋁為靶材，濺射用的惰性氣體通常選擇氬氣(Ar)，因為它的濺射率比較高。用氬離子轟擊鋁靶并通入氧氣，濺射出的鋁離子和電離得到的氧離子沉積到基片上從而得到氧化鋁膜。按磁控濺射中使用的離子源不同，磁控濺射方法有以下幾種：①直流反應磁控濺射；②脈沖磁控濺射；③射頻磁控濺射；④微波-ECR等離子體增強磁控濺射；⑤交流反應磁控濺射等。通常靶材變黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反應氣體和濺射氣體比例的影響。

通常靶材變黑引起中毒的因素靶材中毒主要受反應氣體和濺射氣體比例的影響。在反應濺射過程中，靶材表面的濺射通道區(qū)域被反應產(chǎn)物覆蓋或反應產(chǎn)物被剝離，金屬表面重新暴露。如果化合物的形成速率大于化合物被剝離的速率，則化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應氣體量增加，化合物生成速率增加。如果反應氣體量增加過多，復合覆蓋面積增加，如果反應氣體流量不能及時調(diào)整，復合覆蓋面積增加的速度不會受到抑制，濺射通道將被化合物進一步覆蓋。當濺射靶材完全被化合物覆蓋時，靶材將完全中毒。靶材中毒變黑的影響a、正離子積聚：當靶材中毒時，在靶材表面形成絕緣膜。當正離子到達陰極靶表面時，由于絕緣層的阻擋，它們不能直接進入陰極靶表面。相反，它們沉積在靶材表面，很可能產(chǎn)生電弧放電一一在冷場中產(chǎn)生電弧，使陰極濺射無法進行。b、陽極消失：當靶材中毒時，地面真空室壁上沉積絕緣膜，到達陽極的電子不能進入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。靶材主要由靶坯、背板等部分組成。江蘇濺射陶瓷靶材生產(chǎn)企業(yè)

ITO靶材被廣泛應用于各大行業(yè)之中。江蘇ITO陶瓷靶材價格咨詢

陶瓷靶材陶瓷靶材按化學組成,可分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.陶瓷靶材是比較脆的靶材,通常陶瓷靶材都會綁定背板一起使用,背板除了在濺射過程中可支撐陶瓷靶材,還可以在濺射過程中起到熱傳遞的作用.陶瓷靶材的種類很多,應用范圍廣,主要用于微電子領域,顯示器用,存儲等領域.陶瓷靶材作為非金屬薄膜產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎材料,已得到空前的發(fā)展.陶瓷靶材的制備工藝難點主要有:超大尺寸陶瓷靶材制備技術、如何抑制濺射過程中微粒的產(chǎn)生、如何保證陶瓷靶材的相結構及組織均勻性、盡量提高陶瓷靶材的致密度及減少含氣量等.陶瓷靶材的特性要求:（1）純度:陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大,純度越高,濺射薄膜的均勻性和批量產(chǎn)品的質(zhì)量的一致性越好.隨著微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,對成膜面積的薄膜均勻性要求十分嚴格,其純度必須大于4N.平面顯示用的ITO靶材In2O3和Sn2O3的純度都大于4N.(2)密度:為了減少陶瓷靶材的氣孔,提高薄膜性能,要求濺射陶瓷靶材具有高密度.靶材越密實,濺射顆粒的密度月底,放電現(xiàn)場就越弱,薄膜的性能也越好.(3)成分與結構均勻性:為保證濺射薄膜均勻,在復雜的大面積鍍膜應用中,必須做到靶材成分與結構均勻性好.江蘇ITO陶瓷靶材價格咨詢

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