RC吸收電路因電容C的充電電流在電阻R上產(chǎn)生壓降，還會造成過沖電壓，.RCD電路因用二極管旁路了電阻上的充電電流，從而克服了過沖電壓。放電阻止型緩沖電路中吸收電容C的放電電壓為電源電壓，每次關(guān)斷前C*將上次關(guān)斷電壓的過沖部分能量回饋到電源，減小了吸收電路的功耗。因電容電壓在IGBT關(guān)斷時從電源電壓開始上升，它的過電壓吸收能力不如RCD型充放電型。從吸收過電壓的能力來說，放電阻止型效果稍差，但能量消耗較小。對緩沖吸收電路的要求是：⑴盡量減小主電路的布線電感L；⑵吸收電容應采用低感或無感吸收電容，它的引線應盡量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二極管應采用快開通和快軟恢復二極管，以免產(chǎn)生開通過電壓，和反向恢復引起較大的振蕩過電壓。，得出了設計時應注意的幾點事項：⑴IGBT由于集電極-柵極的寄生電容的密勒效應的影響，能引起意外的電壓尖峰損害，所以設計時應讓柵極的阻抗足夠低，以盡量消除其負面影響；⑵柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對IGBT的開通過程及驅(qū)動脈沖的波形都有很大的影響，所以設計時要綜合考慮；⑶應采用慢降柵壓技術(shù)來控制故障電流的下降速率，從而抑制器件的du/dt和Uge的峰值，達到短路保護的目的。MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。內(nèi)蒙古替換模塊

    IGBT模塊驅(qū)動及保護技術(shù)1.引言IGBT是MOSFET和雙極晶體管的復合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點，又具有功率晶體管高電壓、電流大等優(yōu)點。其特性發(fā)揮出MOSFET和功率晶體管各自的優(yōu)點，正常情況下可工作于幾十kHz的頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率應用范圍中，其中中、大功率應用占據(jù)了主導地位。IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極發(fā)射極之間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極發(fā)射極之間存在較大的寄生電容（幾千至上萬pF），在驅(qū)動脈沖的上升和下降沿需要提供數(shù)A級的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)動電路也必須輸出一定的峰值電流。IGBT作為一種大功率的復合器件，存在著過流時可能發(fā)生閉鎖現(xiàn)象而造成損壞的問題。在過流時如采取一定的速度***柵極電壓，過高的電流變化會引起過電壓，需要采用軟關(guān)斷技術(shù)，因此掌握好IGBT的驅(qū)動和保護特性對于設計人員來說是十分必要的。2．IGBT的柵極特性IGBT的柵極通過氧化膜和發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般只能達到20到30V，因此柵極擊穿是IGBT**常見的失效原因之一。在應用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過**大額定柵極電壓。廣西標準模塊然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。

    1979年，MOS柵功率開關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點是通過強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到IGBT中來。[2]在那個時候，硅芯片的結(jié)構(gòu)是一種較厚的NPT(非穿通)型設計。后來，通過采用PT(穿通)型結(jié)構(gòu)的方法得到了在參數(shù)折衷方面的一個***改進，這是隨著硅片上外延的技術(shù)進步，以及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3]。幾年當中，這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結(jié)構(gòu)，其設計規(guī)則從5微米先進到3微米。90年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中，實現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急劇的轉(zhuǎn)變，先是采用非穿通(NPT)結(jié)構(gòu)，繼而變化成弱穿通(LPT)結(jié)構(gòu)，這就使安全工作區(qū)(SOA)得到同表面柵結(jié)構(gòu)演變類似的改善。這次從穿通(PT)型技術(shù)先進到非穿通(NPT)型技術(shù)，是**基本的，也是很重大的概念變化。這就是:穿通。

過零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器（AC-SSR）的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發(fā)電路、開關(guān)電路（包括雙向晶閘管）、保護電路（RC吸收網(wǎng)絡）。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發(fā)，將負載電源接通。固態(tài)繼電器具有驅(qū)動功率小、無觸點、噪音低、抗干擾能力強，吸合、釋放時間短、壽命長，能與TTL＼CMOS電路兼容，可取代傳統(tǒng)的電磁繼電器。雙向可控硅可用于工業(yè)、交通、家用電器等領(lǐng)域，實現(xiàn)交流調(diào)壓、電機調(diào)速、交流開關(guān)、路燈自動開啟與關(guān)閉、溫度控制、臺燈調(diào)光、舞臺調(diào)光等多種功能，它還被用于固態(tài)繼電器（SSR）和固態(tài)接觸器電路中。要弄明白IGBT模塊，就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)。

    隨集電極-發(fā)射極電壓的升高而增強（請參見等式（8））。低阻抗（即，低雜散電感）柵極驅(qū)動電路，也可比較大限度地降低發(fā)生寄生導通事件的風險。開關(guān)時間數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時間，為確定半橋配置中的互補器件的接通與關(guān)斷之間的恰當空載時間，提供了有用信息。關(guān)于設置恰當?shù)目蛰d時間的更多信息，請參閱參考資料[1]。數(shù)據(jù)表中給出的開關(guān)時間的定義如下，如圖14中的示意圖所示。?接通延時（tdon）：10%柵極-發(fā)射極電壓，至10%集電極電流?升高時間（tr）：10%集電極電流，至90%集電極電流?關(guān)斷延時（tdoff）：90%柵極-發(fā)射極電壓，至90%集電極電流?下降時間（tf）：90%集電極電流，至10%集電極電流開關(guān)時間不能提供關(guān)于開關(guān)損耗的可靠信息，因為電壓升高時間和下降時間以及電流拖尾均未確定。因此，每個脈沖造成的功率損耗需單獨確定。圖14開關(guān)波形示意圖以及開關(guān)時間和功率損耗定義在數(shù)據(jù)表中，將每個脈沖造成的開關(guān)損耗定義為如下積分：積分范圍t1和t2為：?每個脈沖造成的接通功率損耗（Eon）：10%集電極電流，至2%集電極-發(fā)射極電壓?每個脈沖造成的關(guān)斷功率損耗（Eoff）：10%集電極-發(fā)射極電壓，至2%集電極電流這樣，開關(guān)時間和每個脈沖造成的功率損耗。如曲線OD段稱為反向截止區(qū)，此時電流稱為反向飽和電流。山西電源管理模塊

你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 MOS 的輸入特性和BJT 管的輸出特性。內(nèi)蒙古替換模塊

    全橋逆變電路IGBT模塊的實用驅(qū)動電路設計作者：海飛樂技術(shù)時間：2017-04-2116:311.前言全僑式逆變電路應用***，國內(nèi)外許多廠家的焊機都采用此主電路結(jié)構(gòu)。全橋式電路的優(yōu)點是輸出功率較大，要求功率開關(guān)管耐壓較低，便于選管。在硬開關(guān)僑式電路中，IGBT在高壓下導通，在大電流下關(guān)斷，處于強迫開關(guān)過程，功率器件IGBT能否正?？煽渴褂闷鹬陵P(guān)重要的作用。驅(qū)動電路的作用就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，滿足驅(qū)動IGBT的要求。其性能直接關(guān)系到IGBT的開關(guān)速度和功耗、整機效率和可靠性。隨著開關(guān)工作頻率的提高，驅(qū)動電路的優(yōu)化設計更為重要。2.硬開關(guān)全橋式電路工作過程分析全橋式逆變主電路由功率開關(guān)管IGBT和中頻變壓器等主要元器件組成，如圖1所示快速恢復二極管VD1~VD4與lGBT1～IGBT4反向并聯(lián)、承受負載產(chǎn)生的反向電流以保護IGBT。IGBT1和IGBT4為一組，IGBT2和IGBT3為一組，每組IGBT同時導通與關(guān)斷，當激勵脈沖信號輪流驅(qū)動IGBT1、IGBT4和IGBT2、IGBT3時，逆變主電路把直流高壓轉(zhuǎn)換為20kHz的交流電壓送到中頻變壓器，經(jīng)降壓整流濾波輸出。圖1全橋式逆變電路全橋式逆變器的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題，正常工作情況下。內(nèi)蒙古替換模塊

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