由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小，說(shuō)明管的放大能力較差；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管是壞的。根據(jù)上述方法，我們用萬(wàn)用表的R×100檔，測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的Ｇ極開(kāi)路，測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏?。菢O后，表針向左擺動(dòng)，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大，說(shuō)明該管是好的，并有較大的放大能力。運(yùn)用這種方法時(shí)要說(shuō)明幾點(diǎn)：首先，在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí)，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減?。?，也可能向左擺動(dòng)（電阻值增加）。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致，試驗(yàn)表明，多數(shù)管的RDS增大，即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小，使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何，只要表針擺動(dòng)幅度較大，就說(shuō)明管有較大的放大能力。第二，此方法對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管也適用。但要注意，MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過(guò)高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測(cè)量完畢。如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路。浙江可控硅

    當(dāng)T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發(fā)信號(hào)（相對(duì)于T1、T2所接電源負(fù)極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí)，其工作過(guò)原理如圖4所示，此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡(jiǎn)稱(chēng)TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫(xiě)，其意思是三端交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，目前主要用于對(duì)交流電源的控制，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來(lái)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù)。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極，G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正、負(fù)極。2類(lèi)雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來(lái)設(shè)計(jì)一種類(lèi)似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路。如圖5所示，電路采用用7個(gè)三極管和幾個(gè)電阻組成。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。浙江可控硅可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。

    *運(yùn)行地點(diǎn)無(wú)導(dǎo)電及性塵埃，無(wú)腐蝕金屬及破壞絕緣的氣體或蒸汽。*無(wú)劇烈震動(dòng)和沖擊?！霭惭b使用須知:*使用前認(rèn)真閱讀本說(shuō)明書(shū)，嚴(yán)格按要求接線使用。*接線時(shí)要嚴(yán)格保持主電路電源RST與觸發(fā)板電源、控制信號(hào)相位一致。*主電路與控制電路配線時(shí)務(wù)必不要束在一起。*要避免環(huán)境溫度超過(guò)75℃，盤(pán)內(nèi)溫度超過(guò)75℃時(shí)，請(qǐng)充分考慮盤(pán)內(nèi)通風(fēng)問(wèn)題。*安裝時(shí)建議各方均留出20mm的空間。*請(qǐng)采用，電壓電流反饋及電位器連接導(dǎo)線請(qǐng)分別用絞和線連接。*關(guān)于可控硅輸出電壓、電流的測(cè)量請(qǐng)使用測(cè)量非正弦量“有效值”的儀表。如：電磁式（動(dòng)鐵式）或電動(dòng)勢(shì)電壓表、電流表?！黾夹g(shù)規(guī)格:輸入額定電壓3ΦA(chǔ)C380V±15%,50Hz控制電源≤20VA輸出額定電壓輸入電壓的0～95%負(fù)載特性電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)主要控制特性控制信號(hào)0．DC4～20mA輸入阻抗100Ω1．DC0～10mA輸入阻抗100Ω2．DC0～5V輸入阻抗>20KΩ3．DC0～10V輸入阻抗>20KΩ4．其它信號(hào)（用戶訂貨時(shí)提出）軟起動(dòng)時(shí)間1～10s，出廠時(shí)整定在2s故障報(bào)警LED顯示，報(bào)警觸點(diǎn)：AC250V/3A，阻性(故障時(shí)閉合)斜率設(shè)定范圍0～***下點(diǎn)設(shè)定范圍0～***保護(hù)斷相保護(hù)輸入電源斷相時(shí)保護(hù)過(guò)流保護(hù)輸出電流≥。

    可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調(diào)節(jié)的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實(shí)驗(yàn)電路。主電路由負(fù)載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發(fā)電路為單結(jié)晶體管T2及一些阻容元件構(gòu)成的阻容移相橋觸發(fā)電路。改變晶閘管T1的導(dǎo)通角，便可調(diào)節(jié)主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數(shù)值，這點(diǎn)可由燈炮負(fù)載的亮度變化看出。晶閘管導(dǎo)通角的大小決定于觸發(fā)脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實(shí)驗(yàn)電路可知，當(dāng)單結(jié)晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時(shí)，則頻率f大小由R決定，因此，通過(guò)調(diào)節(jié)電位器Rw，使可以改變觸發(fā)脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達(dá)到可控調(diào)壓的目的。用萬(wàn)用電表的電阻檔（或用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔）可以對(duì)單結(jié)晶體管和晶閘管進(jìn)行簡(jiǎn)易測(cè)試。圖2為單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號(hào)。好的單結(jié)晶體管PN結(jié)正向電阻REB1、REB2均較小，且REB1稍大于REB2，PN結(jié)的反向電阻RB1E、RB2E均應(yīng)很大，根據(jù)所測(cè)阻值，即可判斷出各管腳及管子的質(zhì)量?jī)?yōu)劣。圖2單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號(hào)圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號(hào)。晶閘管陽(yáng)極（A）—陰極（K）及陽(yáng)極（A）—門(mén)極（G）之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應(yīng)很大。除了為負(fù)載供電外，整流器/充電機(jī)應(yīng)能在10倍于放電時(shí)間的時(shí)間內(nèi)，將蓄電池的放電功率恢復(fù)到95%。

    2具體電路實(shí)現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩(wěn)壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價(jià)格也較貴，因此，在該穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)中仍采用大電容濾波。線性穩(wěn)壓器部分仍采用串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓器原理，構(gòu)成一個(gè)閉環(huán)反饋系統(tǒng)。主要包括：調(diào)整管，取樣電路，基準(zhǔn)電壓源，誤差比較放大器。由于該穩(wěn)壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調(diào)整管功耗，采用并聯(lián)形式，在本電源中，調(diào)整管用兩個(gè)大功率三極管并聯(lián)，使每管流過(guò)電流為10A左右。這樣，每個(gè)管子的功耗不大于40W，減小了調(diào)整管功耗。調(diào)整管集電極電流為10A左右，因此應(yīng)采用大功率晶體三極管，選取β＝40～50，這樣，基極電流應(yīng)達(dá)2×0．3A，即600mA。而一般集成運(yùn)算放大器輸出電流只有幾十毫安級(jí)，不能讓比較放大電路的輸出端直接來(lái)推動(dòng)調(diào)整管，因此在比較放大電路的輸出端與調(diào)整管的基極之間，加入推動(dòng)級(jí)，此處選擇一個(gè)小功率三極管，構(gòu)成復(fù)合管的形式。啟動(dòng)電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩(wěn)壓電路中，基準(zhǔn)源是整個(gè)穩(wěn)壓系統(tǒng)工作的參考，穩(wěn)壓的**終效果取決于基準(zhǔn)源的水平。因此，該電源中。調(diào)整器具有軟起動(dòng)、軟關(guān)斷功能，減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。浙江可控硅

可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。浙江可控硅

汽車(chē)電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動(dòng)通信、智慧家庭、5G、消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域成為中國(guó)電子元器件市場(chǎng)發(fā)展的源源不斷的動(dòng)力，帶動(dòng)了電子元器件的市場(chǎng)需求，也加快電子元器件更迭換代的速度，從下游需求層面來(lái)看，電子元器件市場(chǎng)的發(fā)展前景極為可觀。當(dāng)前國(guó)內(nèi)可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器行業(yè)發(fā)展迅速，我國(guó) 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列，但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面，我國(guó)企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游。在產(chǎn)業(yè)鏈上游，尤其是可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器和器件等重點(diǎn)環(huán)節(jié)，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國(guó)外。隨著我們過(guò)經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，脫貧致富，實(shí)現(xiàn)小康之路觸手可及。值得注意的是股份有限公司企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年，我國(guó)的電子企業(yè)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。從電子元器件的外國(guó)采購(gòu)在出售。利用物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、人工智能等技術(shù)推動(dòng)銷(xiāo)售產(chǎn)品智能化升級(jí)。信息消費(fèi)5G先行,完善信息服務(wù)基礎(chǔ)建設(shè):信息消費(fèi)是居民、相關(guān)部門(mén)對(duì)信息產(chǎn)品和服務(wù)的使用,包含產(chǎn)品和服務(wù)兩大類(lèi),產(chǎn)品包括手機(jī)、電腦、平板、智能電視和VR/AR等。浙江可控硅

上海凱月電子科技有限公司主要經(jīng)營(yíng)范圍是電子元器件，擁有一支專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)和良好的市場(chǎng)口碑。公司自成立以來(lái)，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個(gè)細(xì)節(jié)，公司旗下可控硅觸發(fā)板，電力調(diào)整器，SCR調(diào)功器，SCR整流器深受客戶的喜愛(ài)。公司將不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)力，努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識(shí)，遵守行業(yè)規(guī)范，植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。上海凱月電子科技憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專(zhuān)業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來(lái)的聲譽(yù)和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。