Su等人28利用氫碘酸和抗壞血酸對(duì)PET基底上的多層氧化石墨烯薄膜進(jìn)行化學(xué)還原,得到30nm厚的RGO薄膜,并測(cè)試了其滲透性能。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),對(duì)He原子和水分子完全不能透過(guò)。而厚度超過(guò)100nm的RGO薄膜對(duì)幾乎所有氣體、液體和腐蝕性化學(xué)試劑(如HF)是高度不可滲透的。特殊的阻隔性能歸因于石墨烯層壓板的高度石墨化和在還原過(guò)程中幾乎沒(méi)有結(jié)構(gòu)損壞。與此結(jié)果相反,Liu等人29已經(jīng)證明了通過(guò)HI蒸氣和水輔助分層制備**式超薄rGO膜的簡(jiǎn)便且可重復(fù)的方法,利用rGO膜的毛細(xì)管力和疏水性,通過(guò)水實(shí)現(xiàn)**終的分層。采用真空抽濾在微孔濾膜基底上制備厚度低至20nm的**式rGO薄膜。同時(shí)具有良好的生物相容性,超薄的GO納米片很容易組裝成紙片或直接在基材上進(jìn)行加工。合成氧化石墨納米材料
光學(xué)材料的某些非線性性質(zhì)是實(shí)現(xiàn)高性能集成光子器件的關(guān)鍵。光子芯片的許多重要功能,如全光開(kāi)關(guān),信號(hào)再生,超快通信都離不開(kāi)它。找尋一種具有超高三階非線性,并且易于加工各種功能性微納結(jié)構(gòu)的材料是眾多的光學(xué)科研工作者的夢(mèng)想,也是成功研制超高性能全光芯片的必由之路。超快泵浦探針光譜表明,重度功能化的具有較大SP3區(qū)域的GO材料在高激發(fā)強(qiáng)度下可以出現(xiàn)飽和吸收、雙光子吸收和多光子吸收[6][50][51][52],這種效應(yīng)歸因于在SP3結(jié)構(gòu)域的光子中存在較大的帶隙。相反,在具有較小帶隙的SP2域中的*出現(xiàn)單光子吸收。石墨烯在飛秒脈沖激發(fā)下具有飽和吸收[52],而氧化石墨烯在低能量下為飽和吸收,高能量下則具有反飽和吸收[51]。因此,通過(guò)控制GO氧化/還原的程度,實(shí)現(xiàn)SP2域到SP3域的比例調(diào)控,可以調(diào)整GO的非線性光學(xué)性質(zhì),這對(duì)于高次諧波的產(chǎn)生與應(yīng)用是非常重要的。單層氧化石墨售價(jià)氧化石墨可以通過(guò)用強(qiáng)氧化劑來(lái)處理石墨來(lái)制備。
氧化石墨烯(GO)表面有羥基、羧基、環(huán)氧基、羰基等親水性的活性基團(tuán),且片層間距較大,使得氧化石墨烯具有超大比表面積和***的離子交換能力。GO的結(jié)構(gòu)與水通蛋白相類(lèi)似,而蛋白質(zhì)本身具有優(yōu)異的離子識(shí)別功能,由此可推斷氧化石墨烯在分離、過(guò)濾及仿生離子傳輸?shù)阮I(lǐng)域可能具有潛在的應(yīng)用價(jià)值1-3。GO經(jīng)過(guò)超聲可以穩(wěn)定地分散在水中,再通過(guò)傳統(tǒng)成膜方法如旋涂、滴涂和真空抽濾等處理后,GO微片可呈現(xiàn)肉眼可見(jiàn)的層狀薄膜堆疊,在薄膜的層與層之間形成具有選擇性的二維納米通道。除此之外,GO由于片層間存在較強(qiáng)的氫鍵,力學(xué)性能優(yōu)異,易脫離基底而**存在?;贕O薄膜制備方法簡(jiǎn)單、成本低、高通透性和高選擇性等優(yōu)點(diǎn),其在水凈化領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用空間。
近年來(lái)研究者發(fā)現(xiàn)石墨烯由于它獨(dú)特的零帶隙結(jié)構(gòu),對(duì)所有波段的光都無(wú)選擇性的吸收,且具有超快的恢復(fù)時(shí)間和較高的損傷閾值。因此利用石墨烯獨(dú)特的非線性可飽和吸收特性將其制作成可飽和吸收體應(yīng)用于調(diào)Q摻鉺光纖激光器、被動(dòng)鎖模光纖激光器已經(jīng)成為超快脈沖激光器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)。2009年,Bao等[82]人使用單層石墨烯作為鎖模光纖激光器的可飽和吸收體首先實(shí)現(xiàn)了通信波段的超短孤子脈沖輸出,脈沖寬度達(dá)到了756fs。他們證實(shí)了由于泡利阻塞原理,零帶隙材料石墨烯在強(qiáng)激光激發(fā)下可以容易的實(shí)現(xiàn)可飽和吸收,而且這種可飽和吸收是與頻率不相關(guān)的,即石墨烯作為可飽和吸收體可實(shí)現(xiàn)對(duì)所有波長(zhǎng)的光都有可飽和吸收作用。石墨烯以?xún)?yōu)異的聲、光、熱、電、力等性質(zhì)成為各新型材料領(lǐng)域追求的目標(biāo)。
解決GO在不同介質(zhì)中的解理和分散等問(wèn)題是實(shí)現(xiàn)GO廣泛應(yīng)用的重要前提。此外,不同的應(yīng)用體系往往要不同的功能體現(xiàn)和界面結(jié)合等特征,故而要經(jīng)常對(duì)GO表面進(jìn)行修飾改性。GO本身含有豐富的含氧官能團(tuán),也可在GO表面引入其他功能基團(tuán),或者利用GO之間和GO與其它物質(zhì)間的共價(jià)鍵或非共價(jià)鍵作用進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)接枝其他官能團(tuán)。由于GO結(jié)構(gòu)的不確定性,以上均屬于一大類(lèi)復(fù)雜的GO化學(xué),導(dǎo)致采用化學(xué)方式對(duì)GO進(jìn)行修飾與改性機(jī)理復(fù)雜化,很難得到結(jié)構(gòu)單一的產(chǎn)品。盡管面臨諸多難以解釋清楚的問(wèn)題,但是對(duì)GO復(fù)合材料優(yōu)異性能的期望使得非常必要總結(jié)對(duì)GO進(jìn)行修飾改性的常用方法和技術(shù),同時(shí)也是氧化石墨烯相關(guān)材料應(yīng)用能否實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定、可控規(guī)?;瘧?yīng)用的關(guān)鍵。GO成為制作傳感器極好的基本材料。單層氧化石墨售價(jià)
減少面內(nèi)難以修復(fù)的孔洞,從而提升還原石墨烯的本征導(dǎo)電性。合成氧化石墨納米材料
RGO制備簡(jiǎn)單、自身具有受還原程度調(diào)控的帶隙,可以實(shí)現(xiàn)超寬譜(從可見(jiàn)至太赫茲波段)探測(cè)。氧化石墨烯的還原程度對(duì)探測(cè)性能有***影響,隨著氧化石墨烯還原程度的提高,探測(cè)器的響應(yīng)率可以提高若干倍以上。因此,在CVD石墨烯方案的基礎(chǔ)上,研究者開(kāi)始嘗試使用還原氧化石墨烯制備類(lèi)似結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器。對(duì)于RGO-Si器件,帶間光子躍遷以及界面處的表面電荷積累,是影響光響應(yīng)的重要因素[72]。2014年,Cao等[73]將氧化石墨烯分散液滴涂在硅線陣列上,而后通過(guò)熱處理對(duì)氧化石墨烯進(jìn)行熱還原,制得了硅納米線陣列(SiNW)-RGO異質(zhì)結(jié)的室溫超寬譜光探測(cè)器。該探測(cè)器在室溫下,***實(shí)現(xiàn)了從可見(jiàn)光(532nm)到太赫茲波(2.52THz,118.8mm)的超寬譜光探測(cè)。在所有波段中,探測(cè)器對(duì)10.6mm的長(zhǎng)波紅外具有比較高的光響應(yīng)率可達(dá)9mA/W。合成氧化石墨納米材料